天上飛的、地上跑的、海里游的幾乎都離不開(kāi)溫度沖擊試驗箱這類(lèi)環(huán)境試驗箱，尤其是最近大火的新能源汽車(chē)的核心配件IGBT芯片，更是一樣要經(jīng)過(guò)無(wú)數次的可靠性試驗才能保證安全高效的投放使用，今天星拓環(huán)境就帶您來(lái)看看IGBT可以用溫度沖擊試驗箱做哪些環(huán)境可靠性試驗。為了提高這些微電子器件性能 (特別是可靠性)，必須將其芯片封裝在真空或保護氣體中，實(shí)現氣密封裝 (芯片置于密閉腔體中，與外界氧氣、濕氣、灰塵等隔絕)。

因此，必須首先制備含腔體 (圍壩)結構的三維基板，滿(mǎn)足封裝應用需求。

常見(jiàn)的工業(yè)級IGBT可靠性試驗包含但不限于以下項目：

（1）HTRB（高溫反偏）試驗：HTRB試驗用于驗證穩定情況下IGBT的漏電指標可靠性。HTRB試驗主要考核焦點(diǎn)是IGBT芯片邊緣結構和鈍化層，以及與生產(chǎn)相關(guān)的離子污染物。在HTRB試驗過(guò)程中一般可以監測到漏電流隨時(shí)間的變化。

（2）HTGB（高溫柵極反偏）試驗：HTGB試驗用于驗證在電和熱負載下柵極漏電流的穩定性。HTGB試驗主要考核的焦點(diǎn)是IGBT的柵極氧化層的完整性及移動(dòng)離子污染。建議在試驗中，持續監測柵極的漏電流和柵極開(kāi)通電壓，若這兩項參數超出指定規格，則認為模塊將不能通過(guò)此項測試。

（3）H3TRB（高溫高濕反偏）試驗：H3TRB試驗用于測試濕度對功率器件長(cháng)期特性的影響。H3TRB試驗的焦點(diǎn)是IGBT的鈍化層及芯片表面缺陷，包括整個(gè)器件結構中的薄弱環(huán)節。值得注意的是，在H3TRB試驗后立即測量漏電流有可能出現漏電超標的情況，其原因是大多數模塊設計不是完全密封，水汽也可以隨著(zhù)時(shí)間到達鈍化層，導致試驗后漏電超差。因此，可以對器件烘烤2h～24h并恢復常溫24h后，再測試器件的漏電流，驗證水汽入侵的可能性。

（4）TST（溫度沖擊）試驗：TST試驗主要驗證IGBT在被動(dòng)溫度變化的情況下對機械應力的抵抗能力。TST試驗考核焦點(diǎn)是IGBT模塊的封裝、基板與DCB間的連接。

（5）TC（溫度循環(huán)）試驗： TC試驗用于模擬外界溫度變化對IGBT的影響，驗證器件或模塊的整體結構和材料。尤其是IGBT功率模塊由不同的材料組成一個(gè)系統，當受熱和冷卻時(shí)，不同材料的熱膨脹系數差異大，兩種界面在受熱或冷卻過(guò)程中所受的機械應力就越大。TC試驗的焦點(diǎn)是IGBT芯片與DCB、DCB與基板之間的連接。

（6）PC（功率循環(huán)）試驗：功率循環(huán)有秒級功率循環(huán)（PCsec）和分鐘級功率循環(huán)。（PCmin）兩種，測試時(shí)通過(guò)芯片自身工作電流進(jìn)行主動(dòng)加熱芯片至目標溫度，然后關(guān)斷電流，冷卻到指定溫度。秒級功率循環(huán)試驗主要考核近芯片端連接的可靠性；分鐘級功率循環(huán)試驗主要考核近芯片端和遠芯片端連接的可靠性。

（7）Vibration（振動(dòng)）試驗：Vibration試驗用來(lái)驗證機械結構的牢固性和電氣連接的穩定性。模擬器件在應用過(guò)程中的振動(dòng)負載，并驗證了器件在出現故障模式(如結構脫落和材料疲勞)時(shí)的抗振動(dòng)能力。

以上就是星拓環(huán)境為您提供的關(guān)于IGBT芯片可以用溫度沖擊試驗箱做哪些試驗？的知識講解，希望對您有幫助。有更多試驗箱問(wèn)題，可與廠(chǎng)家聯(lián)系，星拓環(huán)境核心技術(shù)人員專(zhuān)注于氣候及環(huán)境試驗設備行業(yè)30余年，可為您提供一對一專(zhuān)業(yè)的技術(shù)咨詢(xún)與指導。

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